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SI4896DY-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI4896DY-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 80V 9.5A 3.1W

SI4896DY-T1 供应商

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SI4896DY-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：80 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：9.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：16.5 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：11 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：3.1 W
  • 上升时间：11 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：40 ns

SI4896DY-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI4896DY-T1

N-Channel 80-V (D-S) MOSFET

 5 Pages页,46K 查看
SI4896DY-T1-E3

MOSFET, P, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):16.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:9.5A; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:1.56W; Voltage Vds Typ:80V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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