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SI4872DY-E3
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI4872DY-E3
MOSFET产品简介：MOSFET 30V 15A 3.1W
SI4872DY-E3 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：15 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.5 mOhms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SO-8
- 封装：Tube
- 下降时间：9 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：1.56 W
- 上升时间：9 ns
- 工厂包装数量：100
- 商标名：TrenchFET
- 典型关闭延迟时间：60 ns
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