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SI4862DY-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SI4862DY-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 16V 25A 1.6W

SI4862DY-T1 供应商

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SI4862DY-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：16 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：17 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：38 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.6 W
  • 上升时间：38 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：120 ns

SI4862DY-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI4862DY-T1-E3

N CHANNEL MOSFET, 16V, 25A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:25A; Drain Source Voltage, Vds:16V; On Resistance, Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:0.6V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4.5V ;RoHS Compliant: Yes

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