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SI4804BDY-T1
MOSFET更新日期：2024-04-01
SI4804BDY-T1
MOSFET产品简介：MOSFET 30V 7.5A 1.1W
SI4804BDY-T1 供应商
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SI4804BDY-T1 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：5.7 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：22 mOhms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
- 封装：Reel
- 下降时间：10 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：1.1 W
- 上升时间：10 ns
- 工厂包装数量：2500
- 典型关闭延迟时间：19 ns
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