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SI4626DY-T1-E3

MOSFET

更新日期:2024-04-01 00:04:00

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SI4626DY-T1-E3

MOSFET

产品简介:MOSFET 30V 30A 6.0W

SI4626DY-T1-E3 中文资料属性参数

  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:21.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0036 Ohms
  • 配置:Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
  • 封装:Reel
  • 下降时间:18 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:3 W
  • 上升时间:21 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 典型关闭延迟时间:45 ns
  • 零件号别名:SI4626DY-E3

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