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SI4618DY-T1-GE3

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30V 8/15.2A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
  • 参考价格：￥10.49-￥8.63

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SI4618DY-T1-GE3

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V 8/15.2A DUAL NCH MOSFET w/Shottky

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30V 8/15.2A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
  • 参考价格：￥10.49-￥8.63

SI4618DY-T1-GE3 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 16 V
  • 漏极连续电流：6.7 A, 11.4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：17 mOhms, 10 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：40 S, 47 S
  • 栅极电荷 Qg：29 nC, 39 nC
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.38 W, 2.35 W
  • 零件号别名：SI4618DY-GE3

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