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SI4532ADY

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SI4532ADY

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W

SI4532ADY 供应商

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SI4532ADY 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：4.9 A, 3.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：53 mOhms, 80 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 下降时间：10 ns at N Channel, 9 ns at P Channel
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2 W
  • 上升时间：10 ns at N Channel, 9 ns at P Channel
  • 工厂包装数量：100
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：23 ns at N Channel, 21 ns at P Channel

SI4532ADY 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
Si4532ADY

EVALUATION KIT

 18 Pages页,340K 查看
SI4532ADY

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

 4 Pages页,340K 查看
SI4532ADY-T1-E3

MOSFET, DUAL, NP, SO-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:4.9A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:1.13W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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