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SI4500DY
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI4500DY
MOSFET产品简介：MOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
SI4500DY 供应商
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SI4500DY 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：N and P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：20 V
- 闸/源击穿电压：+/- 12 V
- 漏极连续电流：7 A, 4.5 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：30 mOhms, 65 mOhms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
- 下降时间：20 ns, 40 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2.5 W
- 上升时间：40 ns, 32 ns
- 工厂包装数量：100
- 典型关闭延迟时间：50 ns, 57 ns
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