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SI4500BDY-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SI4500BDY-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 20V 9.1/5.3A 1.3W

SI4500BDY-T1 供应商

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SI4500BDY-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：6.6 A, 3.8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms, 60 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 下降时间：50 ns at N Channel, 35 ns at P Channel
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.3 W
  • 上升时间：50 ns at N Channel, 35 ns at P Channel
  • 工厂包装数量：2500
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：31 ns at N Channel, 55 ns at P Channel

SI4500BDY-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI4500BDY-T1

Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)

 8 Pages页,79K 查看
SI4500BDY-T1-E3

Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)

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