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SI4442DY-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01

SI4442DY-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V 22A 3.5W

SI4442DY-T1 供应商

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SI4442DY-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：22 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.5 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：11 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.6 W
  • 上升时间：11 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：125 ns

SI4442DY-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI4442DY-T1-E3

TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:22A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:3.5W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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