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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET 30V N-Ch. FET
SI4410DY_Q 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：10 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.011 Ohms
- 配置：Single Quad Drain Triple Source
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
- 封装：Reel
- 下降时间：80 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：27 S
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2.5 W
- 上升时间：20 ns
- 典型关闭延迟时间：100 ns
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