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SI3905DV-T1
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI3905DV-T1
MOSFET产品简介：MOSFET 8V 2.5A
SI3905DV-T1 供应商
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SOT163
1825+ -
3000
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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VISHAY/威世
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SOT23-6
2024 -
82000
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全新原装，VISHAY代理
SI3905DV-T1 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：8 V
- 闸/源击穿电压：+/- 8 V
- 漏极连续电流：2.5 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.125 Ohms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TSOP-6
- 封装：Reel
- 下降时间：47 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：1.15 W
- 上升时间：47 ns
- 工厂包装数量：3000
- 商标名：TrenchFET
- 典型关闭延迟时间：28 ns
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