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SI3872DV-T1
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI3872DV-T1
MOSFET产品简介：MOSFET 30/-20V
SI3872DV-T1 供应商
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- 说明
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-
VISHAY
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TSO-6
0 -
21000
-
杭州
-
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原装正品现货
SI3872DV-T1 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N and P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V, 20 V
- 漏极连续电流：2.5 A, 1.8 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.085 Ohms, 0.16 Ohms
- 配置：Dual
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TSOP-6
- 封装：Reel
- 栅极电荷 Qg：2.1 nC, 2.7 nC
- 功率耗散：1.15 W
- 工厂包装数量：3000
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