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SI3872DV-T1-E3

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30/-20V

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI3872DV-T1-E3

MOSFET

产品简介：MOSFET 30/-20V

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30/-20V

SI3872DV-T1-E3 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V, 20 V
  • 漏极连续电流：2.5 A, 1.8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.085 Ohms, 0.16 Ohms
  • 配置：Dual
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSOP-6
  • 封装：Reel
  • 功率耗散：1.15 W
  • 工厂包装数量：3000
  • 零件号别名：SI3872DV-E3

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