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SI3803DV-T1
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI3803DV-T1
MOSFET产品简介：MOSFET TSOP-6 8V 3A 2W
SI3803DV-T1 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：P-Channel
- 闸/源击穿电压：+/- 8 V
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.14 Ohms
- 配置：Quad
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TSOP-6
- 封装：Reel
- 下降时间：105 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2 W
- 上升时间：50 ns
- 工厂包装数量：3000
- 典型关闭延迟时间：75 ns
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