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SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts
  • 参考价格：￥1.10-￥2.48

更新日期：2024-04-01

SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET

产品简介：MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts
  • 参考价格：￥1.10-￥2.48

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SI3585CDV-T1-GE3 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
  • 闸/源击穿电压：12 V
  • 漏极连续电流：3.9 A, - 2.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.048 Ohms, 0.162 Ohms
  • 配置：Single
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSOP-6
  • 封装：Reel
  • 下降时间：8 ns, 7 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S, 1 S
  • 栅极电荷 Qg：3.2 nC
  • 功率耗散：1.4 Watts
  • 上升时间：20 ns, 10 ns
  • 典型关闭延迟时间：11 ns, 13 ns
  • 零件号别名：SI3585CDV-GE3

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