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- 参考价格：RMB2.51-RMB3.19
更新日期：2024-04-01 00:04:00
- 参考价格：RMB2.51-RMB3.19
SI3455ADV-E3 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：20 ns
- 典型接通延迟时间：10 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：8.5 nC V @ 10
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：1.65mm
- 封装类型：TSOP
- 尺寸：3.05 x 1.65 x 1mm
- 引脚数目：6
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：1140 mW
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：30 V
- 最大漏源电阻值：0.1
- 最大连续漏极电流：2.7 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：P
- 配置：四漏极、单
- 长度：3.05mm
- 高度：1mm
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