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SI3442DV-T1
MOSFET更新日期：2024-04-01
SI3442DV-T1
MOSFET产品简介：MOSFET 20V 4.0A 2W
SI3442DV-T1 供应商
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VISHAY/威世
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最新批号 -
8800
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上海市
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合肥
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VISHAY/威世
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SOT23-6
2024 -
82000
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上海市
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
SI3442DV-T1 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：20 V
- 闸/源击穿电压：+/- 8 V
- 漏极连续电流：+/- 4 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.07 Ohms
- 配置：Single Quad Drain
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TSOP
- 封装：Reel
- 下降时间：10 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2 W
- 上升时间：24 ns
- 工厂包装数量：3000
- 典型关闭延迟时间：35 ns
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