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SI3420DV-T1
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI3420DV-T1
MOSFET产品简介：MOSFET 200V 0.5A
SI3420DV-T1 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：200 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：0.37 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3700 mOhms
- 配置：Single Quad Drain
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TSOP-6
- 封装：Reel
- 下降时间：8 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：1140 mW
- 上升时间：8 ns
- 工厂包装数量：3000
- 典型关闭延迟时间：10 ns
SI3420DV-T1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI3420DV-T1
|
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
4 Pages页,66K | 查看 |
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