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SI2336DS-T1-GE3

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET
  • 参考价格：￥0.966-￥3.04

更新日期：2024-04-01

SI2336DS-T1-GE3

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET
  • 参考价格：￥0.966-￥3.04

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SI2336DS-T1-GE3 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：5.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.042 Ohms at 4.5 V
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10 nS
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：30 S
  • 栅极电荷 Qg：5.7 nC
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.8 W
  • 上升时间：10 nS
  • 典型关闭延迟时间：20 nS
  • 零件号别名：SI2336DS-GE3

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