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SI2328DS-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI2328DS-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 100V 1.5A

SI2328DS-T1 供应商

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SI2328DS-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：100 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：1.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.25 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-236-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：11 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：730 mW
  • 上升时间：11 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：9 ns

SI2328DS-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI2328DS-T1-E3

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):250mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.15A; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:730mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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