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SI2315BDS-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01

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SI2315BDS-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W

SI2315BDS-T1 供应商

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SI2315BDS-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：12 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-236-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：35 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：750 mW
  • 上升时间：35 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：50 ns

SI2315BDS-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI2315BDS-T1-E3

MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-12V; Current, Id Cont:3A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.9V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Id Max:3.0A; Current, Idm Pulse:12A; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.75W; Power Output:0.75W; Power, Pd:0.75W; Power, Ptot:0.75W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on @ Vgs = 2.5V P Channel:0.065ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V P Channel:0.05ohm; Resistance, Rds on Max:0.05ohm; SMD Marking:M5; Temperature, Current:25°C; Temperature, Fu...

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