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SI2304DS

MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB0.78-RMB1.21

更新日期：2025-01-08 11:01:05

SI2304DS

MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB0.78-RMB1.21

SI2304DS 供应商

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SI2304DS 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间：18 ns
  • 典型接通延迟时间：4 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：4.6 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：147 pF V @ 10
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.4mm
  • 封装类型：TO-236AB
  • 尺寸：3 x 1.4 x 1mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：830 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：30 V
  • 最大漏源电阻值：0.177
  • 最大连续漏极电流：1.7 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：3mm
  • 高度：1mm

SI2304DS 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI2304DS

N-channel enhancement mode field-effect transistor

 12 Pages页,271K 查看
SI2304DS,215

MOSFET, N CH, 30V, 1.7A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):117mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Id Max:1.7A; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:830mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Enhancement; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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