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SI2302

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 20V 3A
  • 参考价格：￥1.45-￥1.79

更新日期：2024-04-01

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SI2302

MOSFET

产品简介：MOSFET 20V 3A

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 20V 3A
  • 参考价格：￥1.45-￥1.79

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SI2302 中文资料属性参数

  • 制造商：Micro Commercial Components (MCC)
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：3 A
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：11 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1250 mW
  • 上升时间：11 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：34 ns

SI2302 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
Si2302ADS-T1

N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

 4 Pages页,57K 查看
SI2302CDS-T1-GE3

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):57mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs Typ:850mV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:2.9A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:710mW; Rise Time:7ns; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:850mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:0.85V; Voltage...

5页,114K 查看
SI2302DS

N-channel enhancement mode field-effect transistor

 12 Pages页,258K 查看
SI2302-TP

MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23

 5页,300K 查看

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