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SI2301BDS-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI2301BDS-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 20V 2.4A 0.7W

SI2301BDS-T1 供应商

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SI2301BDS-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：2.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-236-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：40 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：700 mW
  • 上升时间：40 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：30 ns

SI2301BDS-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
Si2301BDS-T1

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

 5 Pages页,60K 查看
SI2301BDS-T1-E3

MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:2.2A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.95V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Id Max:2.2A; Current, Idm Pulse:10A; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.7W; Power Output:0.7W; Power, Pd:0.7W; Power, Ptot:0.7W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on @ Vgs = 2.5V P Channel:.15ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V P Channel:.1ohm; Resistance, Rds on Max:0.1ohm; SMD Marking:L1; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Powe...

6页,89K 查看

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