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SI2301

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET -20V -2.8A
  • 参考价格：￥1.45-￥1.79

更新日期：2025-02-12

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SI2301

MOSFET

产品简介：MOSFET -20V -2.8A

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET -20V -2.8A
  • 参考价格：￥1.45-￥1.79

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SI2301 中文资料属性参数

  • 制造商：Micro Commercial Components (MCC)
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：2.8 A
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：5 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1250 mW
  • 上升时间：5 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：52 ns

SI2301 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
Si2301BD

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

 5 Pages页,60K 查看
SI2301BDS

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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Si2301BDS-T1

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

 5 Pages页,60K 查看
SI2301BDS-T1-E3

MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:2.2A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.95V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Id Max:2.2A; Current, Idm Pulse:10A; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.7W; Power Output:0.7W; Power, Pd:0.7W; Power, Ptot:0.7W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on @ Vgs = 2.5V P Channel:.15ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V P Channel:.1ohm; Resistance, Rds on Max:0.1ohm; SMD Marking:L1; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Powe...

6页,89K 查看
SI2301CDS-T1-GE3

MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Current Id Max:-3.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On State Resistance:90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Voltage Vgs Max:8V; Power Dissipation:1.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3

6页,82K 查看
SI2301DS

P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

 4 Pages页,56K 查看
Si2301DS

P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

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SI2301DS-T1

P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

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