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SI1906DL-T1
MOSFET更新日期：2024-04-01
SI1906DL-T1
MOSFET产品简介：MOSFET 20V 0.25A
SI1906DL-T1 供应商
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合肥
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VISHAY/威世
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SOT-363
2024 -
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VISHAY
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SI1906DL-T1 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：20 V
- 闸/源击穿电压：+/- 8 V
- 漏极连续电流：250 mA
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.5 Ohms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOT-363
- 封装：Reel
- 下降时间：25 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：0.2 W
- 上升时间：25 ns
- 工厂包装数量：3000
- 典型关闭延迟时间：19 ns
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