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SI1302DL-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01

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SI1302DL-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V 0.64A

SI1302DL-T1 供应商

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SI1302DL-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：0.6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.48 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SC-70-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：8 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：310 mW
  • 上升时间：8 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：8 ns

SI1302DL-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI1302DL-T1-E3

MOSFET, N, 3-SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:640mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:640mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:310mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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