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- 封装：TO-247-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANSISTOR DARL PNP COMPL TO-247
- 封装：TO-247-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
SGSD200 中文资料属性参数
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：25A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3.5V @ 80mA，20A
- 电流 - 集电极截止（最大）：500µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：500 @ 10A，3V
- 功率 - 最大：130W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
- 其它名称：497-7422-5SGSD200-ND
SGSD200