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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:IGBT 晶体管

SGH23N60UFTU 中文资料属性参数

  • 制造商:Fairchild Semiconductor
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
  • 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:TO-3P-3
  • 封装:Rail
  • 集电极最大连续电流 Ic:23 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 安装风格:Through Hole

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