STFI9N60M2 的相关信息
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- 现有数量:0现货
- 价格:在售
- 系列:MDmesh? II Plus
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):780 毫欧 @ 3A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):10 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):320 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):20W(Tc)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281)
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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STM
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I2PAKFP(TO-281-3)
21+ -
50000
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上海市
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