SI4936BDY-T1-E3 的相关信息
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- 数据列表:SI4936BDY
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.9A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 5.9A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:530pF @ 15V
- 功率 - 最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOICN
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SI4936BDY-T1-E3TR
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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模块
NEW -
3600
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苏州
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全新原装,VISHAY代理
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VIS
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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模块
NEW -
3600
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厦门
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全新原装,VISHAY代理