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RDD022N50TL 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

  • 现有数量：0现货
  • 价格：2,500 : ￥4.73299卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：不适用于新设计
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.4 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.7V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.7 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：168 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：20W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：CPT3
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