MJD31C-13 的相关信息
信息仅供参考,实际以PDF为准
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大):50µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):10 @ 3A,4V
- 功率 - 最大:1.5W
- 频率 - 转换:3MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MJD31C-13DITR
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DIODES/ELNAF
-
TO252
1813+ -
54000
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
-
DIODES
-
-
2021+ -
28000
-
苏州
-
-
-
DIODES INC.
-
-
- -
1475
-
上海市
-
-
-
原装,假一罚十,支持含税

搜索
发布采购