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MCH6632-TL-E 的相关信息
信息仅供参考，实际以PDF为准
- 典型关断延迟时间：19（N 通道）ns，29（P 通道）ns
- 典型接通延迟时间：11（P 通道）ns，6（N 通道）ns
- 典型栅极电荷@Vgs：1.4 nC @ 4 V（N 沟道），2.6 nC @ -4.5 V（P 沟道）
- 典型输入电容值@Vds：105 pF @ 10 V（N 沟道），160 pF @ -6 V（P 沟道）
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：1.6mm
- 封装类型：MCPH 6
- 尺寸：2 x 1.6 x 0.85mm
- 引脚数目：6
- 最大功率耗散：0.8 W
- 最大栅源电压：±10 V
- 最大漏源电压：-12（P 通道）V，20（N 通道）V
- 最大漏源电阻值：465（N 通道）mΩ，665（P 通道）mΩ
- 最大连续漏极电流：-1.5（P 通道）A，1.6（N 通道）A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：2
- 类别：通用
- 通道模式：增强
- 通道类型：N，P
- 配置：双
