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MBT3904DW1T1G 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 NPN（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大：150mW
  • 频率 - 转换：300MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SC-88
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MBT3904DW1T1GOSTR
MBT3904DW1T1G (PDF下载)
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