MBR200100CT 的相关信息
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- 制造商:GeneSiC Semiconductor
- 产品:Schottky Diodes
- 峰值反向电压:100 V
- 正向连续电流:200 A
- 最大浪涌电流:1500 A
- 正向电压下降:0.88 V
- 最大反向漏泄电流:1 uA
- 工作温度范围:- 40 C to + 175 C
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:Module
- 封装:Bulk
- 工厂包装数量:25
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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IXFN
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标准封装
21+ -
5000
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上海市
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质
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IXFN
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EA
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上海市
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厂家授权代理商.IGBT模块.可控硅模块,二极管,整流
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IXFN
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标准封装
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上海市
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专业全新原装进口正品 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断
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IXFN
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标准封装
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上海市
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全新原装进口正品IGBT模块 功率模块现货直销质保一
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
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苏州
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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标准封装
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上海市
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领英
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module
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苏州
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IXYS/艾赛斯
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只做全新原装,原厂原包装原标签
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艾赛斯IXYS
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上海市
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