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LF356M 的相关信息

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  • 制造商：National Semiconductor (TI)
  • 通道数量：1
  • 共模抑制比（最小值）：80 dB
  • 输入补偿电压：10 mV at +/- 15 V
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 转换速度：12 V/us at +/- 15 V
  • 关闭：No
  • 最大工作温度：+ 70 C
  • 封装：Tube
  • 最小工作温度：0 C
  • 工厂包装数量：95
  • 电源电流：10 mA at +/- 15 V
  • 技术：BiFET
  • 电压增益 dB：106.02 dB
LF356M (PDF下载)
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