IXTX6N200P3HV 的相关信息
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- 现有数量:4现货
- 价格:1 : ¥550.85000管件
- 系列:Polar P3?
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):2000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4 欧姆 @ 3A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):143 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):960W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247PLUS-HV
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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IXYS
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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IXYS
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标准封装
20+ -
666
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上海市
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