IRLMS1503TR 的相关信息
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- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HEXFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.2A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 2.2A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:9.6nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:210pF @ 25V
- 功率 - 最大:1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
- 供应商设备封装:Micro6?(TSOP-6)
- 包装:剪切带 (CT)
- 其它名称:*IRLMS1503TRIRLMS1503IRLMS1503CT
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
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