IRFZ34NPBF 的相关信息
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- 标准包装:50
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HEXFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:29A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:40 毫欧 @ 16A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:700pF @ 25V
- 功率 - 最大:68W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 其它名称:*IRFZ34NPBF
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
IRFZ34NPBF
原装现货 -
IR
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TO-220
2010 -
77
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深圳
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11-18
-
原装现货
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INFINEON
-
TO220
23+ -
6600
-
上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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INFINEON/英飞凌
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TO-220
24+ -
1000
-
深圳
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只做原装,好价支持
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IR
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TO-220
1407+ -
19100
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杭州
-
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原装正品现货
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IR
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标准封装
09+ -
13500
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苏州
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全新原装现货销售房间现货
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IR
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21+ -
10700
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上海市
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原装现货,品质为先!请来电垂询!
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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Infineon
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2021+ -
28000
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苏州
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
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IR
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TO-220
23+ -
46000
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合肥
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-
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科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
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INFINEON
-
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220
22+ -
2000
-
上海市
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-
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原装,假一罚十

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