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IRF150 的相关信息

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  • 典型关断延迟时间：170 ns
  • 典型接通延迟时间：35 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：50 → 125 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：3700 pF V @ 25
  • 安装类型：通孔
  • 宽度：26.67mm
  • 封装类型：TO-3
  • 尺寸：39.95 x 26.67 x 7.87mm
  • 引脚数目：2
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：150 W
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：100 V
  • 最大漏源电阻值：0.065
  • 最大连续漏极电流：38 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道类型：N
  • 配置：单
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