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IPP100N04S4H2AKSA1 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：OptiMOS?
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 70μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7180 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：115W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：PG-TO220-3-1
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