IPD90N06S4-05 的相关信息
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- 数据列表:IPD90N06S4-05
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:OptiMOS™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:90A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.1 毫欧 @ 90A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 60µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:81nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:6500pF @ 25V
- 功率 - 最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SP000481510
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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infineon
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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Infineon
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21+/22+ -
3000
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上海市
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货