FQPF44N10 的相关信息
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- 标准包装:1,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:QFET™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:27A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:39 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:62nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1800pF @ 25V
- 功率 - 最大:55W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220F
- 包装:管件
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-220F
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc,33年国产工厂
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FAIRCHILD
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TO-220F
21+ -
12000
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上海市
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