FQA9N90 的相关信息
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- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 产品种类:MOSFET
- 晶体管极性:N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:900 V
- 闸/源击穿电压:+/- 30 V
- 漏极连续电流:8.6 A
- 电阻汲极/源极 RDS(导通):1.3 Ohms
- 配置:Single
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:Through Hole
- 封装 / 箱体:TO-3P
- 封装:Tube
- 下降时间:80 ns
- 正向跨导 gFS(最大值/最小值):9.2 S
- 最小工作温度:- 55 C
- 功率耗散:240 W
- 上升时间:100 ns
- 工厂包装数量:30
- 典型关闭延迟时间:135 ns
- 零件号别名:FQA9N90_NL
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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FQA9N90C-F109
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TO-3P-3L
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10000
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