FDS6975 的相关信息
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- 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:PowerTrench®
- FET 型:2 个 P 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:32 毫欧 @ 6A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1540pF @ 15V
- 功率 - 最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOICN
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:FDS6975TR
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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