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FDS4435BZ 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 8.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1845pF @ 15V
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDS4435BZTR
FDS4435BZ (PDF下载)
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