您好,欢迎来到知芯网

BSM25GD120DN2E3224 的相关信息

信息仅供参考,实际以PDF为准

  • 制造商:Infineon
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.5 V
  • 在25 C的连续集电极电流:35 A
  • 栅极—射极漏泄电流:180 nA
  • 功率耗散:200 W
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:EconoPACK 2
  • 封装:Reel
  • 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 安装风格:Screw
BSM25GD120DN2E3224 (PDF下载)
  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价