BSH103,215 的相关信息
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- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:850mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:400 毫欧 @ 500mA,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):400mV @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.1nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:83pF @ 24V
- 功率 - 最大:540mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel?
- 其它名称:568-5013-6
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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上海市
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